1500V 高壓 MOS 分立器件 ◆導通電阻低; ◆開關速度快; ◆雪崩耐量高; 了解更多
RC (逆導) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片; ◆通態壓降低; ◆可靠性高; ◆成本低; 了解更多
M3i-低飽和壓降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術; ◆軟開通特性,開通 di/dt 小,EMI 低; ◆低飽和壓降,導通損耗??; ◆關斷拖尾電流小,軟關斷特性; ◆正溫度系數,適合并聯; ◆高的短路電流能力(6us以上); ◆開關速度快,開關損耗??; ◆TVj max 達175℃; 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術; ◆軟開通特性,開通 di/dt 小,EMI 低; ◆關速度快,關損耗小 ◆關斷拖尾電流小,軟關斷特性; ◆正溫度系數,適合并聯; ◆高的短路電流能力(6us以上); ◆開關速度快,開關損耗??; ◆TVj max 達175℃; 了解更多
應用方案
應用筆記
行業信息
喜訊 | 宏微科技榮獲國產功率器件行… 12月23日,宏微科技受邀參加第十四屆亞洲電源技術發展論壇,與來… 2024-01-09 了解更多
省委書記信長星等領導一行蒞臨宏微… 12月25日,省委書記信長星一行蒞臨江蘇宏微科技股份有限公司(以… 2023-12-27 了解更多
新品推介 | 宏微科技推出1700V I… 應用場景介紹級聯型H橋拓撲結構簡單,擴展靈活,目前已經在高壓… 2023-11-23 了解更多